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国企信托-山东滕州政信

信托 2021年04月09日 01:54 10 信托头条
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山东唯一带抵押物政信信托项目,山东滕州市政信强势上线,抵押物价值3亿,AA担保,一般预算收入68亿,火爆预约中,小额畅打!

【国企信托-山东滕州政信】

【基本要素】2亿,2年

【税后收益】100万以上,7 %

【付息方式】半年付息

【资金用途】用于滕州市大同中路区域改造工程项目(大同印象二期)的建设。

    

【项目亮点】

1、融资方:山东天行健的实际控制人为滕州市国有资产管理局,滕州市龙头骨干企业,截止2020年9月,公司资产总额74.88亿元,净利润2.06亿。

    

2、担保方:滕州城建的实际控制人为滕州市国有资产管理局,是滕州市重要的棚户区改造和基础设施建设主体,截止2020年6月末,公司总资产197.81亿元,2019 年实现营业收入26.67亿元,主体长期信用等级AA,债项评级AA。

    

3、抵押物:位于核心地段、评估价值30216.23万元的商铺及车库提供抵押,抵押率66.2%

【区位优势】山东滕州市,素有“九省通衢”之称,地理位置优越,“工匠祖师”鲁班故里。

    全国综合实力百强县市第26位,中国工业百强县。

    2019年滕州市GDP748.35亿,一般公共预算收入68亿,综合财政实力较强。



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规模:1.5亿 1年期 


50万 9.5%


资金用途:用于李宾山路南段北段工程项目。


亮点:土地抵押+应收账款质押+国企担保




行业知识每日一学:2018年IGBT芯片概念股有哪些?IGBT芯片概念是什么意思?
  IGBT芯片概念是什么意思?什么是IGBT芯片概念?什么是IGBT芯片?   IGBT(Insulated Gate Bipolar   Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,   兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。   IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;   IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;   IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。   1979年,MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成),其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。   80年代初期,用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候,硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来,通过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进,这是随着硅片上外延的技术进步,以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中,这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构,其设计规则从5微米先进到3微米。   90年代中期,沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT,它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺,但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中,实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。   硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变,先是采用非穿通(NPT)结构,继而变化成弱穿通(LPT)结构,这就使安全工作区(SOA)得到同表面栅结构演变类似的改善。   这次从穿通(PT)型技术先进到非穿通(NPT)型技术,是最基本的,也是很重大的概念变化。这就是:穿通(PT)技术会有比较高的载流子注入系数,而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面,非穿通(NPT)技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率,不过其载流子注入系数却比较低。进而言之,非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替,它类似于某些人所谓的“软穿通”(SPT)或“电场截止”(FS)型技术,这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。   1996年,CSTBT(载流子储存的沟槽栅双极晶体管)使第5代IGBT模块得以实现[6],它采用了弱穿通(LPT)芯片结构,又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前,包括一种“反向阻断型”(逆阻型)功能或一种“反向导通型”(逆导型)功能的IGBT器件的新概念正在进行研究,以求得进一步优化。   IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大降低电路接线电感,提高系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。   现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。   IGBT芯片概念股的龙头股最有可能是哪几只?   IGBT芯片概念股的龙头股最有可能从以下几个股票中诞生 华微电子、 士兰微、 台基股份。   IGBT芯片概念上市公司一共有多少家?   IGBT芯片概念一共有9家上市公司,其中5家IGBT芯片概念上市公司在上证交易所交易,另外4家IGBT芯片概念上市公司在深交所交易。   IGBT芯片概念股有哪些?IGBT芯片概念股一览   华微电子(股票代码:600360)  士兰微(股票代码:600460)   台基股份(股票代码:300046)  长电科技(股票代码:600584)   中环股份(股票代码:002129)  科达股份(股票代码:600986)   钱江摩托(股票代码:000913)  汇川技术(股票代码:300124)   中国中车(股票代码:601766)   更多精彩财经资讯尽在八八伍财经

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